丹羿深度

发布时间：2025-09-24 12:44

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AI时代产业链百花齐放，从海内外大厂如谷歌、亚马逊、Meta、open AI，以及国内BBAT从进行军备竞赛到模型推理反哺自身业务。AI云计算帮助提高各行各业的生产效率，以及渗透进入人们的日常生活中，出现AI端侧的创新设备如AI手机、AI PC、AI眼镜、AI耳机、AI玩具等等。AI模型推理场景，不仅需要大家熟知的 “ 算力 ” 芯片，数据存储的带宽和降本需求也是关键，基于先进封装的近存计算应运而生。

什么是定制化存储技术？

3D DRAM需要高度定制化，DRAM厂家根据逻辑计算芯片的需求来修建。本身DRAM颗粒需要做特殊设计，不是标准接口。如下图，CUBE是台湾的华邦电子开发的定制化存储器，采用TSV+Microbump工艺（与HBM类似），将堆叠了多层的CUBE放在逻辑芯片下面。具体的尺寸、层数都可以根据与逻辑芯片的适配去定制。

资料来源：华邦电子白皮书《CUBE 技术助力变革边缘 AI 计算》

国内A股上市公司兆易创新有领先的技术积累，采用wafer on wafer堆叠工艺（切割成颗粒前就进行存储晶圆的键合），并将3D DRAM放置在逻辑芯片之上。

3D DRAM相较于我们之前讨论过的HBM（网页链接{丹羿深度 | AI时代的存力明珠HBM}）和传统DDR的优势：一是3D DRAM比HBM的功耗更低，适合端侧低功耗场景；二是定制化实现更高带宽，可通过定制更多I/O接口实现超高带宽，而传统DDR的带宽偏低；三是成本更低，对比海外存储大厂HBM颗粒十几美元/GB的价格，国产定制化存储有望实现显著的降本，更加适合端侧海量设备的普及。

3D DRAM 潜在限制为存储容量，这一点相较于HBM具有劣势。海外HBM3e颗粒适用于大算力芯片，存储容量达到百GB以上（HBM 单die是2GB, 堆叠8-12层是16-24GB，一个GPU周围放置6颗HBM）。3D DRAM能做到几十GB的水平，能够适用于部分云端的场景。

目前定制化存储技术的落地情况如何？

瑞芯微于今年7月17日开发者大会发布多款产品，旗舰新品包括全球第一颗3D堆叠的协处理器芯片RK182X系列（NPU），就搭载了兆易创新为其定制的存储器，实现百GB 级别DRAM带宽，端侧模型突破百Token/s，端到端响应延时低至0.1s。

预计未来几年内，我们会看到3D DRAM在更多的终端产品上落地，比如机器人、AI手机、AI PC、汽车里的智能座舱等等。

把握科技发展趋势和研究前沿技术是硬科技投资的灵魂，3D DRAM是具有巨大想象力的新型存储技术路线。这个新技术路线的问世，也证明了国内芯片公司从追赶复制海外厂商，到自身创新 “ 敢为天下先 ” 的实力跨越。

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