长鑫存储申请反应腔室的清洗方法专利，使腔壁表面更为平坦

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金融界2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“反应腔室的清洗方法”的专利，公开号 CN 119121181 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种反应腔室的清洗方法，其包括如下步骤：提供反应腔室，反应腔室包括石英腔壁和附着于石英腔壁上的硅氮化物膜层，石英腔壁表面具有裂纹；向反应腔室中通入包含氟气的第一刻蚀气体进行刻蚀，去除硅氮化物膜层；向反应腔室中通入修复原料，使修复原料在反应腔室中反应生成硅氧化物修复层，硅氧化物修复层附着于石英腔壁的表面并修复裂纹，修复原料包括能够经过反应生成硅氧化物的硅酸酯类有机化合物该清洗方法采用硅酸酯类有机化合物生成氧化硅层的方式，以填充反应腔室的腔壁表面产生的微裂纹，使得腔壁表面更为平坦，防止腔壁材料的剥离脱落，进而改善产品的质量。

本文源自：金融界

作者：情报员

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